Qualcomm Snapdragon 845 rumor

Qualcomm Snapdragon 845 in arrivo con processo produttivo a 7 nm?

Samsung e TSMC non vedono l’ora di iniziare una nuova battaglia su chi dovrà produrre il prossimo processore high-end di Qualcomm. Il SoC in questione dovrebbe chiamarsi Snapdragon 845 ed essere costruito utilizzando un processo produttivo a 7 nm.

Seguendo un po’ l’attuale politica del chip maker, il prossimo chipset di fascia top dovrebbe essere disponibile per i nuovi flagship del 2018, come ad esempio il Samsung Galaxy S9.

Qualcomm Snapdragon 845 rumor

Qualcomm Snapdragon 845: nuovi dettagli sul prossimo SoC del chip maker

Come successo con il Galaxy S8 (e il suo fratello maggiore Galaxy S8+), Qualcomm potrebbe affidare l’intera produzione dell’845 a Samsung. Quest’ultima, poi, potrebbe riservare gran parte delle prime unità prodotte per la nona generazione di Galaxy S.

Gli ultimi rumor riportano che il nuovo chip di Qualcomm potrebbe essere annunciato ufficialmente nei primi mesi del prossimo anno. Lazienda sudcoreana, dunque, ristabilirebbe il normale ciclo di annuncio dei flagship per il Mobile World Congress 2018 di Barcellona.

Qualcomm Snapdragon 845 rumor

Ovviamente, lo Snapdragon 845 potrebbe non essere l’unico processore a 7 nm in produzione per il prossimo anno. Infatti, Huawei, MediaTek e NVIDIA potrebbero presto scontrarsi con Qualcomm proponendo dei nuovi SoC con tale tecnologia.

L’attuale Snapdragon 835 è stato prodotto da Samsung e Qualcomm utilizzando la tecnologia a 10 nm. Sfruttando, quindi, il processo a 7 nm, aumenterebbero le prestazioni fino al 35%.

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Ci sarà anche una significativa riduzione delle dimensioni dello stesso chip e ciò comporterà anche una leggera diminuzione delle dimensioni degli smartphone che saranno mossi dallo Snapdragon 845.

Per quanto riguarda le specifiche tecniche, purtroppo non conosciamo ancora nulla di certo fino ad ora. Dovremmo trovare, però, la quinta generazione della tecnologia di ricarica rapida Quick Charge, una nuova GPU della serie Adreno, un supporto alle memorie RAM LPDDR4X e a memorie flash di tipo UFS 2.1.

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