Samsung S-RAM

Samsung annuncia le nuove S-RAM con tecnologia a 10nm FinFET

Col passare degli anni Samsung è diventato uno dei produttori di componenti più prolifici del mondo mobile, in grado di rifornire il mercato di diversi prodotti, partendo dai processori e fino ad arrivare a display e RAM, solo per citarne alcuni.
Detto ciò, durante la giornata di ieri, la società ha annunciato di essere riuscita a sviluppare una nuova generazione di S-RAM dedicata agli smartphone ed ai dispositivi mobili.

Le nuove S-RAM sono realizzate sfruttando un processo produttivo FinFET a 10 nm, risultando in una superficie minore del 37,5% rispetto alle stesse realizzate con il processo a 14 nm, garantendo ai processori che le useranno un ingombro ridotto.
Inoltre, queste nuove S-RAM offriranno 128MB di transfer rate, il che le rende molto più veloci delle note D-RAM, facilitando il trasferimento di dati all’interno della cache e tra RAM e processore.

In ogni caso, le nuove S-RAM sono ancora in fase di test da parte di Samsung e saranno pronte alla produzione di massa solo all‘inizio del 2017, per cui sarà necessario attendere prima di poter vedere qualche CPU in grado di sfruttare tali diminuendo i consumi e beneficiando di incrementi di velocità.
Resta quindi da vedere quale sarà la risposta di particolare Intel e TSMC, i cui moduli S-RAM sono ancora basati rispettivamente su processi produttivi a 16 e 14 nm.