Samsung LPDDR4 e UFS 2.0

Samsung: RAM LPDDR4 e NAND flash UFS 2.0 per prestazioni al top

In questo ultimo periodo Samsung sta crescendo sempre più proponendo prodotti di qualità nettamente migliore ai precedenti, come ad esempio il nuovo Samsung Galaxy S6.
Ma non solo, perché l’azienda Coreana sta aprendo la strada con ulteriori evoluzioni tecnologiche, come la nuova memoria RAM LPDDR4 e le NAND flash interne progettate con il nuovo standard UFS 2.0.

NAND Flash UFS 2.0: Velocità da capogiro

UFS 2.0 sostituisce il più comune standard eMMC 5.0/5.1 presente nella maggior parte degli smartphone di ultima generazione.
Il nuovo standard è stato essenzialmente progettato per una veloce lettura e scrittura della memoria interna, offrendo la possibilità di leggere e scrivere simultaneamente un sistema molto efficiente di priorità dei task che, come potete vedere a seguito, consente alla nuova NAND di raggiungere una velocità di lettura sequenziale di 350 MB/s e di scrittura sequenziale di 150 MB/s.

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Anche se con le memorie flash non fa particolarmente differenza il modo in cui i dati vengono disposti, la velocità di lettura e scrittura sequenziale può essere importante quando si tratta di gestire file di grandi dimensioni.
Soprattutto quando si tratta di video HD, audio lossless o giochi di grandi dimensioni, che di solito sono conservati ordinatamente in grandi blocchi sequenziali di dati sul disco rigido.

Ma piuttosto che basarsi esclusivamente sui numeri forniti da Samsung, osservando il confronto ottenuto con AndroBench possiamo dare uno sguardo più attento a ciò che il nuovo standard è in grado di offrire comparando il Samsung Galaxy S6 ad altri cellulari di ultima generazione.

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Tuttavia, i parametri di riferimento non rappresentano necessariamente le prestazioni reali e probabilmente non noterete queste differenze di velocità durante il normale utilizzo quotidiano, ma quando si tratta di leggere o scrivere dati particolarmente pesanti, UFS 2.0 è chiaramente un taglio sopra eMMC 5.0.

RAM LPDDR4: Fino al 50% più performante

Andiamo invece a vedere la nuova RAM LPDDR4, ultima memoria di Samsung e successore della precedente LPDDR3.
Come sapete, invece di memorizzare file permanenti di grandi dimensioni, la RAM è la memoria temporanea utilizzata dalle applicazioni e dal sistema operativo per qualsiasi esigenza di elaborazione.
La nuova LPDDR4 può offrire fino a un incremento delle prestazioni del 50% rispetto LPDDR3, a seconda dell’implementazione, grazie alla maggiore banda di memoria che consente una più veloce comunicazione tra la memoria RAM e il processore del dispositivo.
Ciò è particolarmente importante quando si tratta di applicazioni che fanno un uso intensivo della memoria.

Anche in questo caso parliamo di scenari in cui è necessario spostare una grande quantità di dati con un ritardo minimo, ad esempio video a rallentatore, dove 120 fotogrammi dell’immagine devono essere memorizzati nella memoria RAM ogni secondo.
Soprattutto a risoluzioni 2K o 4K, dove la larghezza di banda supplementare è molto importante.

La RAM LPDDR4 montata sul nuovo Samsung Galaxy S6 di Samsung ha una velocità di clock di 1552MHz, quindi, essendo di tipo dual-channel a 32bit, abbiamo una larghezza di banda di 24.8GB/s.
Per confronto l’Exynos 5433 montato sul Samsung Galaxy Note 4 gestisce una memoria LPDDR3 alla frequenza di 825 MHz offrendo una larghezza di banda di 13.2GB/s.

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In sintesi, il passaggio a LPDDR4 e UFS 2.0 presuppone un miglioramento della memoria di sistema, che si rivelerà particolarmente utile per la riproduzione e la registrazione di video ad alta risoluzione, il gaming, e i trasferimenti di file di grandi dimensioni.

Uno dei tanti miglioramenti introdotti con Galaxy S6, che dovrebbe (si spera) portare ad una esperienza complessiva superiore rispetto ai dispositivi Galaxy precedenti.