Crossbar annuncia ReRAM: memorie per device da 1 Terabyte

Lo sviluppo di componenti hardware per device del futuro sembra aver finalmente imboccato la giusta strada e ben presto potremo assistere ad un netto balzo in avanti per quanto riguarda le capacità di memoria, uno dei limiti attuali visti i dispositivi sempre più performanti e ricchi di applicazioni e dati.

Dopo le memorie 3D V-NAND annunciate da Samsung e che promettono di fornire 384 GB di storage interno, l’azienda californiana Crossbar ha bissato annunciando la realizzazione di chip capaci di fornire ben 1000 GB, ovvero 1 Terabyte, di memoria dal nome ReRAM. Si tratta di un brevetto rivoluzionario poiché a differenza delle 3D V-NAND, con le quali condivide le ridotte dimensioni di superficie attestate su circa 200 millimetri quadrati, non si articola in più chip sovrapposti ma sull’utilizzo di uno solo dall’elevata capacità di memoria, portando in dote numerosi vantaggi, come ad esempio un consumo minore di energia, ed una migliore fruibilità nell’integrazione componentistica coi processori.

Oltre ciò, le ReRAM, sfruttando il principio di sovrapposizione multi-chip ideato da Samsung per generare le 3D V-NAND, possono moltiplicare le capacità di storage con 1 TB aggiuntivo per ogni chip aggiunto. Lo sviluppo di queste particolari memorie porterà progressivamente all’eliminazione degli slot microSD, attualmente ancora utilizzati soltanto come supporto supplementare a causa dei ben noti problemi riguardo la velocità di esecuzione dei processi con memorie esterne.

  • mario brussi

    Bell’articolo! Anche se le SD servono anche nel caso in cui per esempio una ROM non renda possibile la trasmissione dei dati della memoria interna…si legge anche troppo nei forum…